HBM4E 12단 제품 / 사진. 삼성전자

삼성전자가 차세대 고대역폭 메모리(HBM) 제품인 ‘HBM4E 12단’ 샘플을 글로벌 고객사에 공급하며 AI 메모리 시장 공략을 강화한다.

삼성전자는 지난 2월 HBM4 양산 출하에 이어, 수개월 만에 차세대 제품인 HBM4E 공급까지 시작하며 차세대 AI 메모리 시장에서 기술 리더십 확대에 나섰다.

HBM은 AI 가속기와 고성능 컴퓨팅(HPC) 시스템에 필수적으로 사용되는 메모리로, 대규모 언어 모델(LLM)과 데이터센터 시장 성장에 따라 수요가 급증하고 있다.

이번에 공급된 HBM4E 12단 제품은 설계와 공정 최적화를 통해 성능과 전력 효율을 동시에 높인 것이 특징이다.

핀(Pin)당 동작 속도는 14Gbps에서 최대 16Gbps까지 지원하며, 이는 전작 HBM4 대비 20% 이상 향상된 수준이다. 또한 단일 스택 기준 초당 3.6TB(테라바이트)의 대역폭을 제공해 AI 연산 처리 성능을 강화했다.

용량 측면에서도 개선이 이뤄졌다. HBM4E 12단 제품은 48GB 용량을 구현했으며, 이는 전작 대비 30% 이상 증가한 수준이다. 삼성전자는 향후 고객 수요에 맞춰 32GB(8단), 64GB(16단) 제품군까지 라인업을 확대할 계획이다.

이번 제품에는 삼성전자의 1c(10나노급 6세대) D램 공정과 자체 파운드리 4나노 로직 다이(Die)가 적용됐다. 회사 측은 이를 통해 초미세 공정 안정성과 양산 수율을 동시에 확보했다고 설명했다.

특히 메모리와 파운드리, 시스템LSI, 첨단 패키징까지 아우르는 ‘원스톱 턴키 솔루션’을 기반으로 공급 안정성과 생산 경쟁력을 강화한다는 전략이다.

전력 효율과 발열 특성도 개선됐다. 삼성전자는 저전력 설계와 패키징 구조 최적화를 통해 전작 대비 에너지 효율을 16%, 열 저항 특성을 14% 이상 향상시켰다고 밝혔다.

이를 통해 고부하 AI 연산 환경에서 발생하는 발열 문제를 줄이고 데이터센터 전력 효율 개선에도 기여할 수 있을 것으로 기대된다.

삼성전자는 이번 샘플 공급 이후 고객 일정에 맞춰 본격적인 양산 공급에 돌입할 계획이다.

삼성전자 메모리사업부 황상준 개발담당 부사장은 “HBM4 양산 성공에 이어 차세대 HBM4E 샘플 공급까지 차질 없이 진행하며 기술 리더십을 다시 한번 입증했다”라며 “압도적인 기술 경쟁력과 선제적 생산 인프라 투자를 기반으로 글로벌 AI 메모리 시장 성장을 주도해 나갈 것”이라고 말했다.

한편 삼성전자는 지난 2월 양산 출하한 HBM4 공급도 확대하고 있다. 삼성전자 HBM4는 지난해 12월 SiP(System in Package) 테스트에서 11.7Gbps 수준의 속도를 기록하며 업계 최고 수준 평가를 받은 바 있다.

업계에서는 HBM4와 동일한 1c D램 및 4나노 베이스 다이 조합이 HBM4E에도 적용된 만큼, 향후 양산 전환 가능성도 높을 것으로 보고 있다.