첨단 반도체 솔루션 공급 분야에서 전 세계 선도적 기업인 Micron Technology, Inc.(Nasdaq:MU)는 오늘 자사의 폭넓은 DDR3 포트폴리오를 강화하는 새로운 계열의 1GHz, 2 기가비트(Gb) 및 4Gb의 30 나노미터(nm) DDR3 장치를 발표했다. 고성능 네트워킹 및 독립 그래픽 마켓을 겨냥하여 설계된 새로운 장치는 최대 초당 2133 메가트랜스퍼(MT/s)의 속도를 제공하면서도 업계 최저 수준의 전력 소모를 실현했다.

Micron은 고성능과 가격 효율성을 지닌 메모리 솔루션 수요를 충족시키는 DRAM 및 비휘발성 메모리 장치에 대한 폭넓은 포트폴리오를 제공함으로써 경쟁이 치열한 시장 분야에서 자사의 고객들을 지원하고 있다. iSuppli의 DRAM 및 메모리 선임 수석 분석가인 Mike Howard는 “Micron은 완벽한 DRAM 포트폴리오를 성공적으로 구축해왔으며, 이러한 제품군은 업계에서 가장 폭넓은 DRAM 선택의 폭을 제공합니다”라고 전했다.

높은 수준의 성능을 요구하는 독립 그래픽 및 고속 네트워킹 마켓에 최적화된 새로운 DDR3 장치는 이 분야에 항상 요구되는 고대역폭의 최신 SoCs/GPU를 제공한다. 이 제품군을 위한 기술 및 IP 파트너 중에는 업계를 선도하는 제조업체인 AMD와 LSI가 참여하여 개발 과정 전반에 걸쳐 Micron과 긴밀하게 협조했다. Micron은 보다 높은 제품 신뢰성과 호환성을 위해 에코시스템 파트너쉽에 의존하고 있으며, 이에 따라 고객의 마케팅 시점과 디자인 비용을 최적화시키는 결과를 얻을 수 있었다.

LSI의 SerDes 및 DDR IP 제품 매니저 Harold Gomard는 “데이터 양이 크게 늘어남에 따라 스토리지 및 네트워킹 장비에 대한 요구가 지속적으로 증가하고 있으며, 이러한 성장을 뒷받침하기 위해서는 시스템 대역폭 요구사항을 충족하는 고성능 메모리 인터페이스가 필요합니다. Micron의 폭넓은 메모리 제품군과 2Gb 및 4Gb 기반 모듈에서 1GHz DDR3 메모리에 대한 지원 덕분에 LSI는 기업 및 클라우드 네트워킹과 스토리지 분야에서 고객의 필요를 충족시킬 수 있습니다”라고 전했다.

AMD Graphics의 부사장 겸 총괄 매니저 Matt Skynner는 “저희는 성능 지향적 그래픽 마켓을 겨냥하여 지속적으로 공격적인 포트폴리오를 구축하고 있습니다. Micron의 새로운 DDR3 장치 덕분에 저희는 더욱 높은 성능을 기대하고 있습니다”라고 전했다.

독립 그래픽 및 고속 네트워킹 분야에 적합한 부품 외에도 Micron은 네트워킹 전용 ECC UDIMM을 비롯, 초당 2133 메가트랜스퍼(MT/s)의 모듈 폼 팩터를 제공할 예정이다.

Micron의 DRAM 마켓 부사장 Robert Feurle은 “고속 DDR3는 2012년 이후 주류 그래픽 및 고성능 네트워킹 마켓에 활력을 불어넣을 것입니다. Micron은 높은 성능, 비용 효율적인 DDR3 제품에 대한 전문성을 이용하여 이러한 초고성능 DDR3 장치를 개발함으로써 치열한 마켓의 요구에 발맞추어 나갈 것입니다. 저희의 앞선 프로세스 기술과 그래픽 및 하이엔드 컴퓨팅 마켓에 대한 노력의 결합은 매우 성공적이었으며, 이 새로운 30nm 2Gb 및 4Gb DDR3 제품은 이러한 약속을 계속 지켜나갈 것입니다”라고 말했다.